Número de Producto del Fabricante:
TSM2NB60CH C5G
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM2NB60CH C5G-DG
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 44W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventario:
12896974
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ENVIAR
TSM2NB60CH C5G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
249 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
44W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251 (IPAK)
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
TSM2NB60CHC5G
TSM2NB60CH C5G-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STD3NK80Z-1
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
3000
NÚMERO DE PIEZA
STD3NK80Z-1-DG
PRECIO UNITARIO
0.73
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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